VCSEL是一种名为垂直腔面发射激光器,以砷化镓半导体材料为基础研制,有别于LED(发光二极管)和LD(Laser Diode,激光二极管)等其他光源,具有体积小、圆形输出光斑、单纵模输出、阈值电流小、价格低廉、易集成为大面积阵列等优点,广泛应用在光通信、光互连、光存储等领域。
例如iPhone X的3D传感技术,现已很火的应用在手机、平板、电脑上。
VCSEL基础组成部分由三部分组成:顶部布拉格反射器(P-DBR)、谐振腔和底部N-DBR。一般DBR由20-40对薄膜组成。
谐振腔的厚度一般在几个微米左右,与边发射器的增益长度相比,VCSEL激光器有源层的增益长度极小(几十纳米),为了能够实现激射,DBR必须有很高的反射率(一般大于99%)。在器件的最下方一般是以GaAs为材料的衬底。
因此VCSEL是一个大功率新型半导体激光器,而其通过优化DBR来提升输出功率,存在热电分离的一个问题。并且它的输出功率很高,VCSEL芯片在热膨胀时也会存在内应力太大等风险。
而斯利通陶瓷电路板可以很好地解决这个问题。DPC技术可以轻松完成高精度的微电子甚至纳电子器件的制造,更牢、更低阻的金属膜层:产品上金属层与陶瓷基板的结合强度高,最大可以达到45MPa(大于1mm厚陶瓷片自身的强度);金属层的导电性好,例如,得到的铜的体积电阻率小于2.5×10-6Ω.cm,电流通过时发热小。同时具备更高的热导率与热膨胀系数,很好的解决了热电分离与大功率引起的内应力等问题。
我们相信在VCSEL的未来市场上,斯利通必定会有更广阔的应用,我们会不断创新,不断努力,为我们客户提供更优质的服务!
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